Gamintojo produkto numeris:
IPB108N15N3GATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPB108N15N3GATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventorius:
3546 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12804746
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPB108N15N3GATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
83A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
8V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 160µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3230 pF @ 75 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
214W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO263-3
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IPB108
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPB108N15N3 GDKR
IPB108N15N3 GCT
IPB108N15N3GATMA1CT
IPB108N15N3 G-DG
SP000677862
IPB108N15N3 GTR-DG
IPB108N15N3G
IPB108N15N3 GCT-DG
IPB108N15N3 G
IPB108N15N3GATMA1DKR
IPB108N15N3GATMA1TR
2156-IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3 GDKR-DG
INFINFIPB108N15N3GATMA1
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
IRFL024Z
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3