Gamintojo produkto numeris:
IPB120N06S4H1ATMA2
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPB120N06S4H1ATMA2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventorius:
12805458
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
Bw4R
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPB120N06S4H1ATMA2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 200µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
21900 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
250W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO263-3-2
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IPB120
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-IPB120N06S4H1ATMA2TR
448-IPB120N06S4H1ATMA2DKR
SP001028782
448-IPB120N06S4H1ATMA2TR
IPB120N06S4H1ATMA2-DG
448-IPB120N06S4H1ATMA2CT
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPP60R074C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220-3
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
IRF7450TRPBF
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
