Gamintojo produkto numeris:
IPB65R110CFDAATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventorius:
1000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12805519
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPB65R110CFDAATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
CoolMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
31.2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
277.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO263-3
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IPB65R110
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPB65R110CFDAATMA1DKR
IPB65R110CFDAATMA1TR
SP000896402
IPB65R110CFDAATMA1CT
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPI45N06S4L08AKSA3
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
IRFS3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
IRF8302MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET