Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Kongo Demokratinė Respublika
Argentina
Turkija
Rumunija
Lietuva
Norvegija
Austrija
Angola
Slovakija
litų
Suomija
Baltarusija
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Juodkalnija
Rusų
Belgija
Švedija
Serbija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Moldavija
Vokietija
Nyderlandai
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Prancūzija
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Portugalija
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Ispanija
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
IPB80N06S405ATMA2
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPB80N06S405ATMA2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventorius:
753 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12803074
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPB80N06S405ATMA2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 60µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6500 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
107W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO263-3-2
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IPB80N
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
IPB80N06S405ATMA2-DG
Duomenų lapai
IPB80N06S405ATMA2
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
448-IPB80N06S405ATMA2CT
IPB80N06S405ATMA2-DG
SP001028718
448-IPB80N06S405ATMA2DKR
2156-IPB80N06S405ATMA2TR
448-IPB80N06S405ATMA2TR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXTA230N075T2-7
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA230N075T2-7-DG
VISO KAINA
4.43
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IXTA200N055T2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA200N055T2-DG
VISO KAINA
1.77
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IXTA140N055T2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA140N055T2-DG
VISO KAINA
1.85
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF3707S
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IRFR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IRFS4321TRRPBF
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
IRF7524D1PBF
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8