Gamintojo produkto numeris:
IPB80N06S407ATMA2
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPB80N06S407ATMA2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventorius:
1176 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12800347
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPB80N06S407ATMA2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 40µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
79W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO263-3-2
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IPB80N
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-IPB80N06S407ATMA2
448-IPB80N06S407ATMA2DKR
IFEINFIPB80N06S407ATMA2
SP001028672
IPB80N06S407ATMA2-DG
448-IPB80N06S407ATMA2CT
448-IPB80N06S407ATMA2TR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB80N04S2H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPF09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPA60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO220