Gamintojo produkto numeris:
IPD30N08S2L21ATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPD30N08S2L21ATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventorius:
20072 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12800562
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPD30N08S2L21ATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
75 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
20.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 80µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1650 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
136W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO252-3-11
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IPD30N08
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPD30N08S2L21
IPD30N08S2L21ATMA1TR
SP000252170
IPD30N08S2L-21-DG
IPD30N08S2L-21CT
IFEINFIPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L-21
IPD30N08S2L21ATMA1DKR
IPD30N08S2L-21TR-DG
IPD30N08S2L21ATMA1CT
IPD30N08S2L-21DKR
IPD30N08S2L-21DKR-DG
IPD30N08S2L-21CT-DG
2156-IPD30N08S2L21ATMA1
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IAUT260N10S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
