Gamintojo produkto numeris:
IPD50N03S207ATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPD50N03S207ATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventorius:
2500 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12805342
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPD50N03S207ATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
50A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 85µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
136W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO252-3-11
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IPD50
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPD50N03S207ATMA1TR-DG
SP000254462
448-IPD50N03S207ATMA1DKR
INFINFIPD50N03S207ATMA1
2156-IPD50N03S207ATMA1
IPD50N03S2-07
IPD50N03S207ATMA1TR
448-IPD50N03S207ATMA1CT
IPD50N03S2-07-DG
448-IPD50N03S207ATMA1TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPZ60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
