Gamintojo produkto numeris:
IPD50R1K4CEAUMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventorius:
4935 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12800893
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
J2vF
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPD50R1K4CEAUMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
CoolMOS™ CE
Produkto būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
13V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 70µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
178 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
42W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO252-3
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IPD50R1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
448-IPD50R1K4CEAUMA1DKR
ROCINFIPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
448-IPD50R1K4CEAUMA1TR
448-IPD50R1K4CEAUMA1CT
2156-IPD50R1K4CEAUMA1
SP001396808
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB120N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
BSO119N03S
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
