Gamintojo produkto numeris:
IPD65R660CFDAATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPD65R660CFDAATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventorius:
4662 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12800162
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPD65R660CFDAATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
CoolMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.22A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 214.55µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
543 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
62.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO252-3
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IPD65R660
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP000928260
INFINFIPD65R660CFDAATMA1
IPD65R660CFDAATMA1-DG
2156-IPD65R660CFDAATMA1
448-IPD65R660CFDAATMA1DKR
448-IPD65R660CFDAATMA1TR
448-IPD65R660CFDAATMA1CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
IPB70N12S3L12ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
IPB65R095C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
