Gamintojo produkto numeris:
IPI60R099CPAAKSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPI60R099CPAAKSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventorius:
12804849
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPI60R099CPAAKSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
CoolMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
31A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2800 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
255W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO262-3
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
IPI60R099
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
INFINFIPI60R099CPAAKSA1
IPI60R099CPA
IPI60R099CPA-DG
SP000315454
2156-IPI60R099CPAAKSA1
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
AOWF095A60
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
AOWF095A60-DG
VISO KAINA
2.56
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPP60R105CFD7XKSA1
MOSFET N CH
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
IPD60R600P6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3