Gamintojo produkto numeris:
IPI60R199CPXKSA2
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPI60R199CPXKSA2-DG
Aprašymas:
HIGH POWER_LEGACY
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventorius:
500 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12804558
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPI60R199CPXKSA2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
CoolMOS®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
16A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 660µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1520 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
139W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO262-3-1
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
IPI60R199
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001109508
448-IPI60R199CPXKSA2
2156-IPI60R199CPXKSA2
IPI60R199CPXKSA2-DG
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFS4620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPU60R2K1CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
