Gamintojo produkto numeris:
IPI65R420CFDXKSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPI65R420CFDXKSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventorius:
12805124
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPI65R420CFDXKSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
CoolMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 340µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
83.3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO262-3
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
IPI65R
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPI65R420CFD
IPI65R420CFD-DG
SP000891702
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPI60R125CPXKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
490
DiGi DALIES NUMERIS
IPI60R125CPXKSA1-DG
VISO KAINA
3.00
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPS04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
IPP65R420CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
IPW65R190CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
