Gamintojo produkto numeris:
IPI80N06S3-05
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPI80N06S3-05-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 165W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventorius:
12803441
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPI80N06S3-05 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 63A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 110µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10760 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
165W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO262-3
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
IPI80N
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-IPI80N06S3-05-IT
IPI80N06S3-05-DG
IPI80N06S3-05IN
IFEINFIPI80N06S3-05
IPI80N06S305X
IPI80N06S305XK
SP000102214
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPP80N03S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IPP65R110CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
IPI60R165CPXKSA1
HIGH POWER_LEGACY