Gamintojo produkto numeris:
IPL60R085P7AUMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPL60R085P7AUMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 39A (Tc) 154W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventorius:
276 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13064010
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPL60R085P7AUMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serijos
CoolMOS™ P7
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
39A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 590µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2180 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
154W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-VSON-4
Pakuotė / dėklas
4-PowerTSFN
Pagrindinio produkto numeris
IPL60R085
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPL60R085P7
IPL60R085P7AUMA1-ND
IPL60R085P7AUMA1CT
SP001657404
IFEINFIPL60R085P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1DKR
IPL60R085P7AUMA1TR
2156-IPL60R085P7AUMA1
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB14N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
IPB65R045C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK