Gamintojo produkto numeris:
IPL65R1K0C6SATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPL65R1K0C6SATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 4.2A (Tc) 34.7W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Inventorius:
12800085
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPL65R1K0C6SATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
CoolMOS™ C6
Produkto būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 150µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
328 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
34.7W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TSON-8-2
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
IPL65R1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001163084
2156-IPL65R1K0C6SATMA1
ROCINFIPL65R1K0C6SATMA1
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IPLK60R1K0PFD7ATMA1-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB160N04S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
BTS121AE3045ANTMA1
MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
IPP05CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
