Gamintojo produkto numeris:
IPP023N08N5AKSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPP023N08N5AKSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventorius:
367 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12805804
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPP023N08N5AKSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.8V @ 208µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
166 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
12100 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IPP023
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPP023N08N5AKSA1-DG
2156-IPP023N08N5AKSA1
448-IPP023N08N5AKSA1
SP001132482
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPW65R190E6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
IRFS7440PBF
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK