Gamintojo produkto numeris:
IPP65R660CFDAAKSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPP65R660CFDAAKSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventorius:
12805071
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPP65R660CFDAAKSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
CoolMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 200µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
543 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
62.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IPP65R
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP000875802
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STP12NK80Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
707
DiGi DALIES NUMERIS
STP12NK80Z-DG
VISO KAINA
1.56
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STP11N65M2
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
1996
DiGi DALIES NUMERIS
STP11N65M2-DG
VISO KAINA
0.67
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFU4510PBF
MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
IRFR3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IRFS3307ZTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
