Gamintojo produkto numeris:
IPP80N06S209AKSA2
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPP80N06S209AKSA2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventorius:
12806231
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPP80N06S209AKSA2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 125µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2360 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
190W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220-3-1
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IPP80N06
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IFEINFIPP80N06S209AKSA2
2156-IPP80N06S209AKSA2
SP001061400
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
AOT2610L
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
AOT2610L-DG
VISO KAINA
0.59
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STP75NF75
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
1998
DiGi DALIES NUMERIS
STP75NF75-DG
VISO KAINA
1.10
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRLZ34NSPBF
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
IRFB7734PBF
MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
IRFS4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK