Gamintojo produkto numeris:
IPP80R900P7XKSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPP80R900P7XKSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventorius:
12803831
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPP80R900P7XKSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
CoolMOS™ P7
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 110µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 500 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IPP80R900
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001633486
INFINFIPP80R900P7XKSA1
2156-IPP80R900P7XKSA1
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFS7437-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IPD088N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPI80N04S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
