Gamintojo produkto numeris:
IPS60R360PFD7SAKMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPS60R360PFD7SAKMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventorius:
832 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12810871
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPS60R360PFD7SAKMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
CoolMOS™PFD7
Produkto būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 140µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
534 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
43W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO251-3
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
IPS60R
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
448-IPS60R360PFD7SAKMA1
SP003965460
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPU95R450P7AKMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IPU95R450P7AKMA1-DG
VISO KAINA
0.98
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
IPAN60R360PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
