Gamintojo produkto numeris:
IPW60R180P7XKSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPW60R180P7XKSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventorius:
237 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12806474
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPW60R180P7XKSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
CoolMOS™ P7
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 280µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
72W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO247-3
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IPW60R180
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001606058
2156-IPW60R180P7XKSA1
INFINFIPW60R180P7XKSA1
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF7749L2TR1PBF
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
IPT65R195G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
SPB80N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
