Gamintojo produkto numeris:
IPZ40N04S58R4ATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPZ40N04S58R4ATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-32
Inventorius:
9693 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12822518
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPZ40N04S58R4ATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™-5
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
40A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
7V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.4V @ 10µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
771 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
34W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TSDSON-8-32
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
IPZ40N04
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPZ40N04S58R4ATMA1DKR
SP001153438
2156-IPZ40N04S58R4ATMA1
IPZ40N04S58R4ATMA1TR
IPZ40N04S58R4ATMA1-DG
IPZ40N04S58R4ATMA1CT
IFEINFIPZ40N04S58R4ATMA1
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTT60N10
MOSFET N-CH 100V 60A TO268
IRLMS6702TRPBF
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
IRLR3103TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
