Gamintojo produkto numeris:
IQE013N04LM6CGATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IQE013N04LM6CGATMA1-DG
Aprašymas:
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TTFN-9-1
Inventorius:
5494 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12945765
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IQE013N04LM6CGATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
31A (Ta), 205A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 51µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3900 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount, Wettable Flank
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TTFN-9-1
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
IQE013
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP005340908
448-IQE013N04LM6CGATMA1DKR
448-IQE013N04LM6CGATMA1CT
448-IQE013N04LM6CGATMA1TR
2156-IQE013N04LM6CGATMA1-448
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPW65R060CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
IPW65R041CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
IPP65R060CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247