IRF1010EZL
Gamintojo produkto numeris:

IRF1010EZL

Product Overview

Gamintojas:

Infineon Technologies

Detalių numeris:

IRF1010EZL-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Inventorius:

12858872
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRF1010EZL Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2810 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
140W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
*IRF1010EZL
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
renesas-electronics-america

RJK0656DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK

vishay-siliconix

IRFL214PBF

MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

onsemi

NVMFS5C638NLT1G

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

onsemi

NTTFS4823NTWG

MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN