IRF1405ZS-7P
Gamintojo produkto numeris:

IRF1405ZS-7P

Product Overview

Gamintojas:

Infineon Technologies

Detalių numeris:

IRF1405ZS-7P-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 55 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12805758
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRF1405ZS-7P Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 150µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5360 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
230W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
D2PAK (7-Lead)
Pakuotė / dėklas
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
IRF1405Z(S,L)-7P

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
*IRF1405ZS-7P
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
infineon-technologies

IRFR4620TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

infineon-technologies

IRF6797MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFZ48ZS

MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

infineon-technologies

IRFS31N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK