Gamintojo produkto numeris:
IRF2805PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF2805PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
8388 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12804893
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF2805PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5110 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
330W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRF2805
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001559506
*IRF2805PBF
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF7402TR
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
IPW60R041P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
IPP04N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
