Gamintojo produkto numeris:
IRF3709
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF3709-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
12818445
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF3709 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
90A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2672 pF @ 16 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRF3709
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PSMN4R3-30PL,127
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
4699
DiGi DALIES NUMERIS
PSMN4R3-30PL,127-DG
VISO KAINA
0.72
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
PSMN2R0-30PL,127
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
9215
DiGi DALIES NUMERIS
PSMN2R0-30PL,127-DG
VISO KAINA
1.11
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IRLB8721PBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
18825
DiGi DALIES NUMERIS
IRLB8721PBF-DG
VISO KAINA
0.36
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPU039N03LGXK
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
IPN80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
