Gamintojo produkto numeris:
IRF4905STRR
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF4905STRR-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 55 V 74A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventorius:
12804947
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF4905STRR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
74A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
D2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001561660
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRL1404STRLPBF
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
IRF7805PBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IRF1104L
MOSFET N-CH 40V 100A TO262
