Gamintojo produkto numeris:
IRF520NPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF520NPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
2234 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12803285
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF520NPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
330 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
48W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IRF520
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001571310
2156-IRF520NPBF
*IRF520NPBF
IFEINFIRF520NPBF
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF9530NSPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IPP200N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
