Gamintojo produkto numeris:
IRF5802TR
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF5802TR-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventorius:
12805179
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF5802TR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
900mA (Ta)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
88 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
Micro6™(TSOP-6)
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF5802TRTR
SP001571264
IRF5802TRDKR
*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802TR-DG
IRF5802TRCT
IRF5802CT-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF5802TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
8278
DiGi DALIES NUMERIS
IRF5802TRPBF-DG
VISO KAINA
0.17
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB65R310CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
IRF6635TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRFR1205TRL
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
