Gamintojo produkto numeris:
IRF640NLPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF640NLPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262
Inventorius:
794 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12804873
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF640NLPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1160 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
IRF640
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRF640NLPBF
SP001563296
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FQI27N25TU
GAMINTOJAS
Fairchild Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
600
DiGi DALIES NUMERIS
FQI27N25TU-DG
VISO KAINA
1.48
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB80N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF6215LPBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IRFR3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK