IRF6614TR1
Gamintojo produkto numeris:

IRF6614TR1

Product Overview

Gamintojas:

Infineon Technologies

Detalių numeris:

IRF6614TR1-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12818571
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRF6614TR1 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.25V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2560 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ ST
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric ST

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
IRF6614

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SP001525534
Standartinis paketas
1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
infineon-technologies

IRFR3504ZTRRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

infineon-technologies

IRFR3709ZPBF

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

infineon-technologies

IRFH5210TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

infineon-technologies

IRF540ZSTRL

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK