Gamintojo produkto numeris:
IRF6617TRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6617TRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventorius:
12823217
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6617TRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Ta), 55A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.35V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ ST
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric ST
Pagrindinio produkto numeris
IRF6617
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF6617TRPBFDKR
IRF6617TRPBFCT
SP001531694
IRF6617TRPBFTR
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFS3004TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IRF6715MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
BUK9635-100A,118
MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
