IRF6619TR1PBF

Gamintojo produkto numeris:

IRF6619TR1PBF

Product Overview

Gamintojas:

Infineon Technologies

Detalių numeris:

IRF6619TR1PBF-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

Išsami aprašymas:

N-Channel 20 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventorius:

2000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12803360

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IRF6619TR1PBF Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Infineon Technologies

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

HEXFET®

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

20 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

30A (Ta), 150A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.45V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

57 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

5040 pF @ 10 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Darbinė temperatūra

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

DIRECTFET™ MX

Pakuotė / dėklas

DirectFET™ Isometric MX

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

IRF6619TR1PBF-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

IRF6619TR1PBFCT

IRF6619TR1PBFTR

SP001531686

IRF6619TR1PBFDKR

Standartinis paketas

1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS

IRF6619TR1

GAMINTOJAS

Infineon Technologies

PRIEINAMAS KIEKIS

7158

DiGi DALIES NUMERIS

IRF6619TR1-DG

VISO KAINA

1.19

Pakeitimo tipas

Parametric Equivalent

DALIES NUMERIS

IRF6619

GAMINTOJAS

Infineon Technologies

PRIEINAMAS KIEKIS

13859

DiGi DALIES NUMERIS

IRF6619-DG

VISO KAINA

1.21

Pakeitimo tipas

Parametric Equivalent

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

infineon-technologies

IPI80N06S3-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

infineon-technologies

IRF135SA204

MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7

infineon-technologies

IPB180N06S4H1ATMA2

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

infineon-technologies

IPB120N04S4L02ATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK