Gamintojo produkto numeris:
IRF6622TRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6622TRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 15A (Ta), 59A (Tc) 2.2W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventorius:
12804902
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6622TRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Ta), 59A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.35V @ 25µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1450 pF @ 13 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.2W (Ta), 34W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ SQ
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric SQ
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF6622TRPBFDKR
IRF6622TRPBFCT
IRF6622TRPBF-DG
IRF6622TRPBFTR
SP001530296
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPP100N06S205AKSA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IRF7421D1
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
IRFZ46ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
