Gamintojo produkto numeris:
IRF6623TR1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6623TR1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 16A (Ta), 55A (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventorius:
12823119
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6623TR1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
16A (Ta), 55A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1360 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.4W (Ta), 42W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ ST
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric ST
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001530184
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF6623TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
8615
DiGi DALIES NUMERIS
IRF6623TRPBF-DG
VISO KAINA
0.89
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRLL2705PBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
FQA6N70
MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
IRFP4332PBF
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
