Gamintojo produkto numeris:
IRF6628TR1PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6628TR1PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventorius:
12805943
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6628TR1PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
27A (Ta), 160A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.35V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3770 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MX
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MX
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF6628TR1PBFCT
IRF6628TR1PBFDKR
IRF6628TR1PBFTR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRLTS6342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
IPP80N06S2L-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRLR2705TRL
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
