Gamintojo produkto numeris:
IRF6644TR1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6644TR1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventorius:
12805364
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6644TR1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.8V @ 150µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2210 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MN
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MN
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001561926
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF6644TRPBF
GAMINTOJAS
International Rectifier
PRIEINAMAS KIEKIS
602356
DiGi DALIES NUMERIS
IRF6644TRPBF-DG
VISO KAINA
1.27
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRLR4132TRPBF
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
IRFR3910PBF
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
IPW60R230P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3
