Gamintojo produkto numeris:
IRF6646TR1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6646TR1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventorius:
12805892
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6646TR1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Ta), 68A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.9V @ 150µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2060 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MN
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MN
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001576866
IRF6646TR1-DG
IRF6646
IRF6646TR1CT
IRF6646TR1INACTIVE
IRF6646TR1TR
IRF6646-DG
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
2 (1 Year)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF6646TRPBF
GAMINTOJAS
International Rectifier
PRIEINAMAS KIEKIS
433574
DiGi DALIES NUMERIS
IRF6646TRPBF-DG
VISO KAINA
1.28
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFI4121H-117P
MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
IRF3000
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
IRF40H210
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
