Gamintojo produkto numeris:
IRF6678
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6678-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventorius:
12805660
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6678 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Ta), 150A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.25V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5640 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MX
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MX
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001526792
IRF6678TR
IRF6678CT
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PSMN2R0-30YL,115
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
20769
DiGi DALIES NUMERIS
PSMN2R0-30YL,115-DG
VISO KAINA
0.57
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFS59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPP90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
