Gamintojo produkto numeris:
IRF6725MTRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6725MTRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventorius:
12805495
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6725MTRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
28A (Ta), 170A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.35V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4700 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MX
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MX
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001526964
IRF6725MTRPBFDKR
IRF6725MTRPBF-DG
IRF6725MTRPBFCT
IRF6725MTRPBFTR
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF1407S
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IPW50R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
IRFR48ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
