Gamintojo produkto numeris:
IRF6729MTRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6729MTRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventorius:
12802979
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6729MTRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
31A (Ta), 190A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.35V @ 150µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6030 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MX
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MX
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF6729MTRPBF-DG
IRF6729MTRPBFTR
IRF6729MTRPBFCT
SP001524718
IRF6729MTRPBFDKR
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF6727MTRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
3845
DiGi DALIES NUMERIS
IRF6727MTRPBF-DG
VISO KAINA
1.03
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPD70N04S3-07
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
IPP60R090CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
IRF2804STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
