Gamintojo produkto numeris:
IRF6775MTRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6775MTRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventorius:
13349 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12804047
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6775MTRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1411 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MZ
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MZ
Pagrindinio produkto numeris
IRF6775
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF6775MTRPBFCT
IRF6775MTRPBFDKR
IRF6775MTRPBFTR
SP001562042
IRF6775MTRPBF-DG
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF8113
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRF300P226
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
