Gamintojo produkto numeris:
IRF6810STRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF6810STRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N CH 25V 16A S1
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Inventorius:
12823136
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF6810STRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
16A (Ta), 50A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.1V @ 25µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1038 pF @ 13 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DirectFET™ Isometric S1
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric S1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF6810STRPBFCT
IRF6810STRPBFDKR
SP001530834
IRF6810STRPBF-DG
IRF6810STRPBFTR
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRLR3636TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
30775
DiGi DALIES NUMERIS
IRLR3636TRPBF-DG
VISO KAINA
0.73
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFR812TRPBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
IXTT440N04T4HV
MOSFET N-CH 40V 440A TO268
IRFR3418TRPBF
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
