Gamintojo produkto numeris:
IRF7102
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7102-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 50V 2A 2W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12823258
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7102 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
50V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
120pF @ 25V
Galia - Maks.
2W
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF71
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
95
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF7303TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
IRF7750
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
MCCD2004-TP
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
