Gamintojo produkto numeris:
IRF7171MTRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7171MTRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 15A (Ta), 93A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventorius:
12802943
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7171MTRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
FASTIRFET™, HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Ta), 93A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.6V @ 150µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2160 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DIRECTFET™ MN
Pakuotė / dėklas
DirectFET™ Isometric MN
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF7171MTRPBFCT
IRF7171MTRPBFTR
IRF7171MTRPBF-DG
IRF7171MTRPBFDKR
SP001559758
Standartinis paketas
4,800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
BSB056N10NN3GXUMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
11611
DiGi DALIES NUMERIS
BSB056N10NN3GXUMA1-DG
VISO KAINA
1.63
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF520NSPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRFR3707TR
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
BUZ31HXKSA1
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3