Gamintojo produkto numeris:
IRF7326D2
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7326D2-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventorius:
13064086
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7326D2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
FETKY™
Pakavimas
Tube
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.6A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
440 pF @ 25 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Isolated)
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
95
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPZ60R070P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
IRF6609TR1
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
IRF2903ZPBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
