Gamintojo produkto numeris:
IRF7329TRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7329TRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
25277 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12810711
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7329TRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.2A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
900mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3450pF @ 10V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF732
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IRF7329PBFTR
Q2720362
IRF7329PBFCT
IRF7329PBFDKR
SP001566104
*IRF7329TRPBF
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
TC8220K6-G
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
