Gamintojo produkto numeris:
IRF7338PBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7338PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12804266
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7338PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
N and P-Channel
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.3A, 3A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
640pF @ 9V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF733
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001565278
*IRF7338PBF
Standartinis paketas
95
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF7103PBF
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
IRF7901D1
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
IRF7555TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8