Gamintojo produkto numeris:
IRF7341GTRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7341GTRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
7426 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13064063
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7341GTRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Gamintojas
Infineon Technologies
Serijos
HEXFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.1A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
44nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
780pF @ 25V
Galia - Maks.
2.4W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF734
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
448-IRF7341GTRPBFTR
SP001563394
448-IRF7341GTRPBFCT
IRF7341GTRPBF-ND
448-IRF7341GTRPBFDKR
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF7506TR
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
IPG20N06S4L14ATMA2
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
IRF9395MTR1PBF
MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC
